三星电子3纳米制程技术已正式流片三星电子日前宣布,3纳米制程技术已经正式流片,据悉,三星电子的3纳米制程采用的是环绕式栅极,gate,all,around,GAA,晶体管架构,性能优于台积电的3纳米鳍式场效应晶体管,FinFET,架构,三星电子表示,因为GAA架构需要一套不同于台积电和英特尔使用的FinFET架构的设计和鉴定工具,该公...。
更新时间:2024-12-03 22:22:39
- 财经 - 股票博客网址大全--123网址之家
科研化学品
泰安市恒实金属材料有限公司
团子范文网
二手房源
安徽永讯网络建设有限公司
高温风管厂家
深圳市金诚服信息技术有限公司
pbootcms模板
上海除湿机/工业除湿机/工业加湿器/地下室车库除湿机/上海雨菱环保科技有限公司
汽车时刻表
网上送花,鲜花速递,全国鲜花订购平台